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等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)有哪些部分组成?

等离子体增强化学气相沉积系统哪些部分组成(PECVD)?很多老师不了解PECVD的组成,下面卓聚科技小编为大家介绍一下。

等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD),生长样品腔的管径60-120mm,它是由高温管式炉、多路高精度流量控制与供气系统、机械泵、真空密封及测量系统、尾气处理系统组成,极限真空度可达 10^-5 torr 。

等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)(点击了解参数)

等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)主要特点:

1,优势在于各种薄膜材料、低维纳米材料等的制备(尤其适用于过渡金属二维半导体材料的生长与原位掺杂,以及多元二维材料的生长)

2,可选配远程等离子射频发生系统,可用于各种薄膜材料、低维纳米材料等的等离子体辅助生长、刻蚀加工与材料表面修饰(尤其适用于石墨烯、氮化硼等二维材料的无催化生长,缺陷调控,以及器件制作工艺中的残胶去除)

3,生长工艺设计先进,能满足衬底无催化生长

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