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纳米位移台在电子束曝光下如何避免样品的热影响

在电子束曝光下使用纳米位移台时,样品可能会受到电子束的热影响。为了避免或降低这种影响,可以采取以下措施:
使用低电子束能量: 降低电子束的能量可以减少其在样品上产生的热效应。选择适当的电子束加速电压,使其保持在相对较低的水平,以减少热损耗。
限制曝光时间: 减少电子束照射的时间,以降低样品的热积累。将曝光时间限制在必要的节点,以获得所需的成像或分析结果。
使用脉冲电子束: 如果设备支持,可以考虑使用脉冲电子束而非连续电子束。脉冲电子束照射时间短,有助于减少热传导到样品的程度。
散热: 提供样品附近的有效散热系统,以帮助快速冷却样品表面。这可以通过空气或液体冷却系统来实现。
使用导热性好的样品支持: 选择具有较好导热性的样品支持,以帮助迅速传递热量,防止在样品上产生过多的热积累。
考虑样品固定: 在进行电子束曝光之前,可以考虑使用合适的固定剂或支撑结构来确保样品的稳定性。这有助于减小因电子束造成的振动和热效应。
避免高电流密度: 尽量避免使用高电子束的电流密度。选择适当的束流,以减小对样品的热影响。
监测温度: 在实验过程中监测样品的温度。使用温度监测设备,如红外热像仪或热电偶,以实时监测样品的温度,确保不超过安全范围。
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